[ Pobierz całość w formacie PDF ]

K....... _wsp_sprzężenia _nazwa_modelu
Przykłady:
K1 L12 LWZ 0.82
KTRAF L1 L2 0.99
KNONL L1 L2 L3 L4 0.98 F3001
Deklaracje elementów 211
211
Element sprzęga magnetycznie cewki, których nazwy wymieniono na liście _lista_nazw_IND.
Bezwymiarowy współczynnik sprzężenia podaje się w polu _wsp_sprzężenia. Jeżeli podana
zostanie nazwa modelu (pole _nazwa_modelu) to sprzężenie magnetyczne realizowane jest
poprzez nieliniowy rdzeń magnetyczny. W tym przypadku należy pamiętać, że:
W deklaracjach sprzęganych cewek zamiast indukcyjności podaje się liczbę zwojów.
Na liście _lista_nazw_IND może pojawić się tylko jedna nazwa cewki. W ten sposób
można modelować cewkę z nieliniowym rdzeniem magnetycznym.
Materiał magnetyczny opisywany jest zmodyfikowanym modelem Jiles a Atherton a.
Parametry: strona 117.
Opis modelu: strona 118.
L CEWKA MAGNETYCZNA
Postać ogólna:
L....... n+ n- [_nazwa_modelu] _indukcyjność [IC=_i]
Przykłady:
LLOAD 15 0 20mH
L2 1 2 1.2E-6
LGEN 3 42 LMODE 0.03
LSENSE 5 12 2UH IC=2mA
Dodatni biegun cewki to n+, ujemny biegun cewki to n-. Dodatni prąd płynie od bieguna
dodatniego do ujemnego przez cewkę. Cewka może być opisywana modelem, którego nazwę
podaje się w polu _nazwa_modelu. Model pozwala uwzględnić zmiany indukcyjności z
temperaturą oraz prostych zjawisk nieliniowych. Jednak aby dokładnie opisać zachowanie
cewki z nieliniowym rdzeniem magnetycznym konieczne jest zadeklarowanie elementu typu
K.......  sprzężenia cewek. Wartość indukcyjności podana w polu _indukcyjność może być
dodatnia lub ujemna nie może býc jednak równa zeru. W polu _i podaje siÄ™ wartość prÄ…du
płynącego przez indukcyjność w chwili rozpoczęcia analizy stanów nieustalonych.
Parametry: strona 115.
Opis modelu: strona 115.
M TRANZYSTOR POLOWY MOS
Postać ogólna:
M....... _dren _bramka _z
ródło _podłoże _nazwa_modelu
+[L=_var1] [W=_var2] [AD=_var3] [AS=_var4] [PD=_var5] [PS=_var6]
+[NRD=_var7] [NRS=_var8] [NRG=_var9] [NRB=_var10]
Przykłady:
M1 14 2 13 0 PNOM L=25U W=12U
MAS 15 3 0 0 PSTRONG
MA2 0 2 100 100 NWEK L=33U W=12U AD=288P AS=288P PD=60U
+PS=60U NRD=14 NRS=24 NRG=10
Parametry, które można podać w linii deklaracji tranzystora MOS mają następujące znaczenie:
L DÅ‚ugość kanaÅ‚u tranzystora. Wartość domyÅ›lna wynosi 100[µm].
W Szerokość kanaÅ‚u tranzystora. Wartość domyÅ›lna wynosi 100[µm].
212 Deklaracje elementów
212
AD Pole powierzchni obszaru dyfuzji drenu. Służy do obliczania prądu nasycenia oraz
pojemności złącza dren podłoże.
AS Pole powierzchni obszaru dyfuzji z
ródła. Służy do obliczania prądu nasycenia oraz
pojemności złącza z
ródło podłoże.
PD Obwód obszaru dyfuzji drenu. Służy do obliczania pojemności części bocznej
(zakrzywionej) złącza dren podłoże.
PS Obwód obszaru dyfuzji z
ródła. Służy do obliczania pojemności części bocznej
(zakrzywionej) złącza z
ródło podłoże.
NRD Względna rezystancja obszaru drenu wyrażona liczbą kwadratów.
NRS Względna rezystancja obszaru z
ródła wyrażona liczbą kwadratów.
NRG Względna rezystancja obszaru bramki wyrażona liczbą kwadratów.
NRB Względna rezystancja obszaru podłoża wyrażona liczbą kwadratów.
Parametry: strony 165, 176, 184.
Opis modelu: strony 166, 174, 184.
Q TRANZYSTOR BIPOLARNY
Postać ogólna:
Q....... _kolektor _baza _emiter [_podłoże] _nazwa_modelu [_area]
Przykłady:
Q1 14 2 13 PNOM
Q13 15 3 0 1 NPNSTRONG 1.5
Liczba podana w polu _area określa ile razy pole powierzchni zajmowane przez deklarowany
przyrząd jest większe od pola powierzchni założonego w modelu. Parametry modelu ISC oraz
ISE oznaczające prądy nasycenia dla prądów upływu złącza kolektor baza i złącza
emiter baza mogą przyjąć wartości >1.0. W tym przypadku prądy nasycenia dla prądów
upływu obliczane są jako iloczyn parametru IS (prąd nasycenia złączy) i odpowiednio
parametru ISC oraz ISE.
Parametry: strony 141, 148.
Opis modelu: strona 139.
R OPORNIK
Postać ogólna:
R....... n+ n- [_nazwa_modelu] _oporność
Przykłady:
RLOAD 15 0 2K
R2 1 2 MOJ 2.0
Dodatni biegun opornika to n+, ujemny biegun to n-. Dodatni prąd płynie do bieguna
dodatniego do bieguna ujemnego przez opornik. Wartość oporności podana w polu _oporność
może býc dodatnia lub ujemna nie może býc jednak równa zeru. Za pomocÄ… modelu można
opisać zależność oporności od temperatury.
Parametry: strona 112.
Opis modelu: strona 112.
Deklaracje elementów 213
213
S KLUCZ STEROWANY NAPI
CIEM
Postać ogólna:
S....... n+ n- nc+ nc- _nazwa_modelu
Przykłady:
S12 13 17 2 0 SMOD
SRESET 5 0 15 3 RELAY
Klucz sterowany napięciem jest rodzajem nieliniowego opornika wpiętego między węzły n+
i n-. Wartość oporności zmienia się w sposób c/
agły przy zmianach napięcia panującego
między węzłami nc+ i nc-.
Parametry: strona 78.
T BEZSTRATNA LINIA DA
UGA
Postać ogólna:
T....... na+ na- nb+ nb- Z0=_var1 [TD=_var2] [F=_var3] [NL=_var4]
Przykłady:
T1 1 2 3 4 Z0=220OHM TD=115NS
T2 1 2 3 4 Z0=220OHM F=2.25MHz
T3 1 2 3 4 Z0=220OHM F=4.5MHz NL=0.5
Wejście linii dołączone jest do węzłów o numerach na+ i na-. Wyjście linii dołączone jest
do węzłów numerach nb+ i nb-. Posłowie kluczowym Z0 podaje się impedancję falową linii.
Czas przelotu linii podaje się bezpośrednio po słowie kluczowym TD lub przez podanie
częstotliwości fali (parametr F) i względnej długości linii NL. Jeżeli parametr NL nie zostanie
podany to przyjmuje się, że NL=0.25, tzn. że linia jest ćwierćfalowa.
Patrz strona: 79.
V NIEZALE%7Å‚NE y
RÓDA
O NAPI
CIA  SEM
Postać ogólna:
V....... n+ n- [DC _war] [AC _amp [_faz]] [_przebieg_czasowy]
Przykłady:
VBIAS 12 0 2.3mV
VAC2 3 AC 0.001
VACFAZ 2 3 AC .001 50
VPULSE 1 0 PULSE(0 1)
V3 26 77 DC 12 AC 1.2 56 SIN(1.2 12 200kHz)
Dodatni biegun z
ródła to n+, ujemny biegun z
ródła to n-. Dodatni prąd płynie od bieguna
dodatniego do ujemnego przez z
ródło. Składową stałą napięcia z
ródła podaje się w polu _war
po słowie kluczowym DC. Posłowie kluczowym AC podaje się amplitudę (pole _amp) i fazę
(pole _faz) składowej zmiennej z
ródła. Na końcy deklaracji można podać przebieg czasowy
prÄ…du z
ródła. Możliwe są następujące przebiegi:
EXP Ekspotencjalny  opis na stronie 76.
PULSE Przebieg prostokÄ…tny  opis na stronie 74.
PWL Odcinkowo liniowy  opis na stronie 77.
214 Deklaracje elementów
214
SFFM Sinusoida o częstotliwości modulowanej sinusoidą  opis na stronie 77.
SIN Sinusoidalny  opis na stronie 75.
Patrz strona: 9, 46, 73.
W KLUCZ STEROWANY PR
DEM
Postać ogólna:
W....... n+ n- _nazwa_z
ródła _nazwa_modelu
Przykłady:
W12 13 17 VC WMOD
WRESET 5 0 VRESET RELAY
Klucz sterowany prądem jest rodzajem nieliniowego opornika wpiętego między węzły n+ i
n-. Wartość oporności zmienia się w sposób c/
agły przy zmianach prądu płynącego przez
niezależne z
ródło napięcia, którego nazwa została podana w polu _nazwa_z
ródła.
Patrz strona: 78.
X PODOBWÓD
Postać ogólna:
X....... _nazwa_podobwodu
Przykłady:
X12 100 101 200 201 DIFAMP
XBUFF 13 15 UNITAMP
Pseudoelement o nazwie zaczynającej się od litery  X służy do włączenia podobwodu o
nazwie podanej w polu _nazwa_podobwodu w strukturę obwodu. Na liście węzłów
_lista_węzłów powinny się znalez
ć numery węzłów obwodu, do których dołączone zostaną
węzły podobwodu udostępniane na zewnątrz. Liczba węzłów umieszczonych na liście
_lista_węzłów musi być taka sama jak liczba węzłów zadeklarowana w deklaracji .SUBCKT.
Wywołania podobwodów mogą być zagnieżdżane.
Patrz strona: 68. [ Pobierz całość w formacie PDF ]